Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 10mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω18
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.4 x 0.94mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.94mm
Ancho
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
25
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Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 10mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω18
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.4 x 0.94mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.94mm
Ancho
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.