Par Darlington, MC1413DG, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
1.5mm
Profundidad
4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-20 °C
Dimensiones
10 x 4 x 1.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
10mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
48
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5 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
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16
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Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Altura
1.5mm
Profundidad
4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-20 °C
Dimensiones
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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