Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2 + Tab
Disipación de Potencia Máxima
111000 mW
Transistor Configuration
Single
Profundidad
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud
10.67mm
Altura
16.51mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V
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P.O.A.
800
P.O.A.
800
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2 + Tab
Disipación de Potencia Máxima
111000 mW
Transistor Configuration
Single
Profundidad
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud
10.67mm
Altura
16.51mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V