Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Conteo de Pines
2 + Tab
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de diodo directa
2.4V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Profundidad
4.8mm
Tipo de Encapsulado
TO-220
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Longitud:
10.67mm
Altura
16.51mm
Brand
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P.O.A.
Estándar
5
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5
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Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
Conteo de Pines
2 + Tab
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de diodo directa
2.4V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Profundidad
4.8mm
Tipo de Encapsulado
TO-220
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Longitud:
10.67mm
Altura
16.51mm
Brand
ON Semiconductor