MOSFET onsemi FDMS86182, VDSS 100 V, ID 78 A, PQFN de 8 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-4090Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FDMS86182
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

78 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 a 10 V nC

Profundidad

5.85mm

Número de Elementos por Chip

2

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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N

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78 A

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Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 a 10 V nC

Profundidad

5.85mm

Número de Elementos por Chip

2

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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