Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
151 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
138 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Ancho
6mm
Número de Elementos por Chip
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
1.05mm
Serie
PowerTrench
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
151 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
138 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 a 10 V nC
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Ancho
6mm
Número de Elementos por Chip
2
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
1.05mm
Serie
PowerTrench
Datos del producto