MOSFET onsemi FCU850N80Z, VDSS 800 V, ID 6 A, IPAK de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

850 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V dc, ±30 V ac

Profundidad

2.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Altura

7.57mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China