MOSFET onsemi ECH8667-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
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P
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5.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Altura
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