Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 406
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 483,14
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 406 | $ 4.060 |
100 - 240 | $ 320 | $ 3.200 |
250 - 990 | $ 282 | $ 2.820 |
1000+ | $ 228 | $ 2.280 |
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.