Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones
1 x 2.2 x 1.35mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones
1 x 2.2 x 1.35mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia