Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 10 V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 136
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 161,84
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 136
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 161,84
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,5 nC a 10 V
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto