MOSFET Nexperia BSS84AK,215, VDSS 50 V, ID 180 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-0908PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS84AK
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

180 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

420 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,26 nC a 5 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal P, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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P.O.A.

MOSFET Nexperia BSS84AK,215, VDSS 50 V, ID 180 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

420 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,26 nC a 5 V

Profundidad

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Si

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