MOSFET Nexperia BSH108,215, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,4 nC a 10 V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, hasta 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 146
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 173,74
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
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3
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120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,4 nC a 10 V
Altura
1mm
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