Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-65 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
220
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 2.2 x 1.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores PNP de señal pequeña, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-65 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
220
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 2.2 x 1.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto