AEC-Q100 Memoria flash, Quad-SPI SST26VF016B-104I/MF 16Mbit, 2M x 8 bits, 8ns, WDFN, 8 pines

Código de producto RS: 841-7507Marca: MicrochipNúmero de parte de fabricante: SST26VF016B-104I/MF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

16Mbit

Tipo de Interfaz

Quad-SPI

Tipo de Encapsulado

WDFN

Conteo de Pines

8

Organización

2M x 8 bits

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

Split Gate

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Organización de Bloques

Simétrico

Longitud

6mm

Altura

0.8mm

Profundidad

5mm

Dimensiones

6 x 5 x 0.8mm

Series

SST26

Número de Palabras

2MB

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

8ns

Datos del producto

Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B

La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.

Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.

Características

Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
Protocolo de interfaz periférica serie (SPI) x1/x2/x4
Frecuencia de reloj de alta velocidad - 104 MHz máx.
Modos de ráfagas
Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
Tiempo de borrado rápido: borrado de bloque/sector de 18 ms (típico), borrado de chip de 35 ms (típico)
Capacidad de borrado flexible
Software de protección contra escritura

Flash Memory, Microchip

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Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 3.307,01

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8

Organización

2M x 8 bits

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

Split Gate

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Organización de Bloques

Simétrico

Longitud

6mm

Altura

0.8mm

Profundidad

5mm

Dimensiones

6 x 5 x 0.8mm

Series

SST26

Número de Palabras

2MB

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8bit

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+85 °C.

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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

8ns

Datos del producto

Memoria SuperFlash® Serial Quad I/O (SQI) SST26VF016B/032B/064B

La gama SST26VF016B/032B/064B de dispositivos de Microchip son IC de memoria SuperFlash® de interfaz Serial Quad I/O™ (SQI™) que cuentan con una interfaz de E/S de 4 bits de seis hilos para un funcionamiento de baja potencia y alto rendimiento en un encapsulado de bajo recuento de contactos. El uso de la interfaz SQI™ de Microchip proporciona un rendimiento de hasta 104 MHz y aporta capacidad de XIP (ejecución en el lugar) de baja latencia con mínima memoria de búfer de procesador. Estos chips de memoria Flash también admiten compatibilidad de conjuntos completos de comandos con el protocolo de interfaz periférica serie (SPI) tradicional.

Gracias al uso de la tecnología SuperFlash®, estos dispositivos ofrecen excepcionales tiempos de borrado, por lo que demuestran grandes ventajas en comparación con otras alternativas de memoria Flash. Los comandos de borrado de bloque y sector normalmente se completan en 18 ms, mientras que la operación de borrado total de chip suele tardar 35 ms.

Características

Arquitectura de interfaz serie: E/S multiplexadas de cuarteto con estructura de comandos serie tipo SPI
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Bajo consumo de potencia: lectura activa de 15 mA (típica de 104 MHz), en standby de 15 μA (típica)
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