MOSFET Magnatec BUZ900P, VDSS 160 V, ID 8 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 841-047Marca: MagnatecNúmero de parte de fabricante: BUZ900P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-14 V, +14 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.26mm

Ancho

2.49mm

Material del transistor

Si

Altura

21.46mm

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, Semelab

MOSFET Transistors, Semelab

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N

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Through Hole

Conteo de Pines

3

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-14 V, +14 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.26mm

Ancho

2.49mm

Material del transistor

Si

Altura

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