Módulo IGBT, MID200-12A4, N-Canal, 270 A, 1.200 V, Y3 DCB, 5-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
270 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
Y3 DCB
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
110 x 62 x 30mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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270 A
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Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
Y3 DCB
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
5
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
110 x 62 x 30mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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