Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
HiperFET, X2-Class
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
21.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
16.24mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56 nC a 10 V
Altura
5.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2
El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.
Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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$ 9.006
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 10.717,14
Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 9.006
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 10.717,14
Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
HiperFET, X2-Class
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
21.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
16.24mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56 nC a 10 V
Altura
5.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2
El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.
Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS