Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.4V
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Serie
HiperFET
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Disipación de Potencia Máxima
1,79 kW
Profundidad
5.31mm
Longitud:
20.29mm
Altura
26.59mm
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Brand
IXYSResistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Carga Típica de Puerta @ Vgs
340 @ 10 V nC
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$ 47.103
Each (Sin IVA)
$ 56.053
Each (IVA Incluido)
1
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$ 56.053
Each (IVA Incluido)
1
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 4 | $ 47.103 |
5 - 9 | $ 44.750 |
10+ | $ 43.567 |
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Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.4V
Tipo de montaje
Through Hole
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Serie
HiperFET
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Disipación de Potencia Máxima
1,79 kW
Profundidad
5.31mm
Longitud:
20.29mm
Altura
26.59mm
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Brand
IXYSResistencia Máxima Drenador-Fuente
41 mΩ
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Carga Típica de Puerta @ Vgs
340 @ 10 V nC