MOSFET Infineon SPD07N60C3BTMA1, VDSS 650 V, ID 7,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 752-8498PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPD07N60C3BTMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

7.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC @ 10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.41mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon SPD07N60C3BTMA1, VDSS 650 V, ID 7,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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16P.O.A.
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20P.O.A.
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N

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Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC @ 10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.41mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

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