MOSFET Infineon IRLR120NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

185 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 5 V

Altura

2.39mm

Serie

HEXFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C