Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
73 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
14000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Longitud
10.67mm
Altura
9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de audio digital, Infineon
Los amplificadores de clase D se están convirtiendo rápidamente en la solución preferida para sistemas de audio y vídeo tanto profesionales como domésticos. Infineon ofrece una gama completa que simplifica el diseño del amplificador de clase D de alta eficacia.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 3.365
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 4.004,35
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 200 | $ 3.365 | $ 168.250 |
250 - 450 | $ 2.709 | $ 135.450 |
500+ | $ 2.379 | $ 118.950 |
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Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
73 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
14000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Longitud
10.67mm
Altura
9.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de audio digital, Infineon
Los amplificadores de clase D se están convirtiendo rápidamente en la solución preferida para sistemas de audio y vídeo tanto profesionales como domésticos. Infineon ofrece una gama completa que simplifica el diseño del amplificador de clase D de alta eficacia.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.