MOSFET Infineon IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, 4,7 A, SO-8 de 8 pines

Código de producto RS: 171-1915Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF7343TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3,4 A, 4,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,065 Ω, 0,17 Ω

Modo de Canal

Depletion

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Serie

IRF7343PbF

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 1.400

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.666

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, 4,7 A, SO-8 de 8 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 14.000
20$ 28.000
30$ 42.000
40$ 56.000
50$ 70.000
60$ 84.000
70$ 98.000
80$ 112.000
90$ 126.000
100$ 108.000
110$ 118.800
120$ 129.600
130$ 140.400
140$ 151.200
150$ 162.000

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10

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60$ 84.000
70$ 98.000
80$ 112.000
90$ 126.000
100$ 108.000
110$ 118.800
120$ 129.600
130$ 140.400
140$ 151.200
150$ 162.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 1.400$ 14.000
100 - 490$ 1.080$ 10.800
500 - 990$ 966$ 9.660
1000 - 1990$ 754$ 7.540
2000+$ 716$ 7.160

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SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,065 Ω, 0,17 Ω

Modo de Canal

Depletion

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

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