MOSFET Infineon IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 914-8154Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF540NPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Número de Elementos por Chip

1

Modo de Canal

Mejora

Tipo de Canal

N

Material del transistor

Si

Conteo de Pines

3

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Transistor Configuration

Single

Tipo de montaje

Through Hole

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Serie

HEXFET

Profundidad

4.69mm

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Brand

Infineon

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

44 mΩ

Carga Típica de Puerta @ Vgs

71 nC a 10 V

País de Origen

China

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$ 1.268

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 1.508,92

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 25.360
40$ 50.720
60$ 76.080
80$ 101.440
100$ 73.500
120$ 88.200
140$ 102.900
160$ 117.600
180$ 132.300
200$ 147.000
220$ 161.700
240$ 176.400
260$ 191.100
280$ 205.800
300$ 210.300

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120$ 88.200
140$ 102.900
160$ 117.600
180$ 132.300
200$ 147.000
220$ 161.700
240$ 176.400
260$ 191.100
280$ 205.800
300$ 210.300

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 80$ 1.268$ 25.360
100 - 280$ 735$ 14.700
300 - 580$ 701$ 14.020
600+$ 655$ 13.100

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1

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Mejora

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N

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3

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Transistor Configuration

Single

Tipo de montaje

Through Hole

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+175 °C

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Serie

HEXFET

Profundidad

4.69mm

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

Disipación de Potencia Máxima

130000 mW

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Brand

Infineon

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