MOSFET Infineon IPW65R095C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 897-7636Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPW65R095C7XKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

24 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

700 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

95 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

128 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Profundidad

21.1mm

Series

CoolMOS C7

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

5.21mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IPW65R095C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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Tipo de Montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

95 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

128 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Material del transistor

Si

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.13mm

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Profundidad

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Series

CoolMOS C7

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Tensión de diodo directa

0.9V

Altura

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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7

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