MOSFET Infineon IPW65R080CFDAFKSA1, VDSS 700 V, ID 43 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
43,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
700 V
Serie
CoolMOS CFD
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
391 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.21mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
167 nC a 10 V
Altura
21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.9V
País de Origen
China
Datos del producto
Infineon CoolMOS™ CFD Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 19.270,86
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30
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TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
391 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
21.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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