MOSFET Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1939Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD068N10N3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

IPD068N10N3 G

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

51 nC a 10 V

Profundidad

7.47mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.41mm

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$ 1.074

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.278,06

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 10.740
20$ 21.480
30$ 32.220
40$ 42.960
50$ 53.700
60$ 64.440
70$ 75.180
80$ 85.920
90$ 96.660
100$ 107.400
110$ 118.140
120$ 128.880
130$ 139.620
140$ 150.360
150$ 161.100

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20$ 21.480
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50$ 53.700
60$ 64.440
70$ 75.180
80$ 85.920
90$ 96.660
100$ 107.400
110$ 118.140
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N

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TO-252

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

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Mejora

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3.5V

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

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51 nC a 10 V

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