MOSFET Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Infineon IPD068N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702284
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 170-2284Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD068N10N3GATMA1

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

IPD068N10N3 G

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

51 nC a 10 V

Profundidad

7.47mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.41mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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$ 1.074

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.278,06

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

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2500

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Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

IPD068N10N3 G

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

51 nC a 10 V

Profundidad

7.47mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.41mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C