Transistor MOSFET Infineon IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Serie
OptiMOS 3
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 1.569
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.867,11
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1000
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N
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34 A
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OptiMOS 3
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
32 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
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