MOSFET Infineon IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1955Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB020N10N5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

176 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO 263

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

11.05mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

168 nC a 10 V

Largo

10.31mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Serie

IPB020N10N5

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.57mm

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 9.479

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 11.280,01

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 9.479$ 47.395
25 - 95$ 8.065$ 40.325
100 - 245$ 6.987$ 34.935
250 - 495$ 6.618$ 33.090
500+$ 5.935$ 29.675

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

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3.8V

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