MOSFET Infineon IPB010N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 906-4353PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB010N06NATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK-7

Series

OptiMOS™ 5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

208 nC a 10 V

Profundidad

4.57mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.45mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

4.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

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D2PAK-7

Series

OptiMOS™ 5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

208 nC a 10 V

Profundidad

4.57mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.45mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

4.2V

Datos del producto

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