IGBT, IGW40N65F5FKSA1, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
2500pF
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Energía nominal
0.46mJ
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Each (In a Pack of 4) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 4 - 8 | $ 6.199 | $ 24.796 |
| 12 - 36 | $ 5.274 | $ 21.096 |
| 40 - 76 | $ 5.016 | $ 20.064 |
| 80 - 196 | $ 4.775 | $ 19.100 |
| 200+ | $ 4.551 | $ 18.204 |
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Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
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Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
2500pF
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Energía nominal
0.46mJ
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Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
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• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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