IGBT, IGW25T120FKSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 178-1399Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IGW25T120FKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Energía nominal

7mJ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1860pF

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Energía nominal

7mJ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Capacitancia de puerta

1860pF

Datos del producto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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