Módulo IGBT, FP25R12KE3BOSA1, N-Canal, 40 A, 1.200 V, EconoPIM2, 24-Pines Trifásico

Código de producto RS: 752-8312Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FP25R12KE3BOSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Tipo de Encapsulado

EconoPIM2

Configuration

3 Phase Bridge

Tipo de montaje

PCB Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

24

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiones del Cuerpo

107.5 x 45 x 17mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

País de Origen

Hungary

Datos del producto

Módulo IGBT, Infineon

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Tipo de Encapsulado

EconoPIM2

Configuration

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Tipo de Canal

N

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24

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Dimensiones del Cuerpo

107.5 x 45 x 17mm

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Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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