AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25VN10-G, 8 pines, SOIC, SPI, 1Mbit, 128K x 8 bits, 18ns, 2 V a 3,6 V

Código de producto RS: 124-2991Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: FM25VN10-G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tamaño de la Memoria

1Mbit

Organización

128K x 8 bits

Tipo de Interfaz

De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI

Ancho del Bus de Datos

8bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

18ns

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Longitud

4.97mm

Ancho

3.98mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.47mm

Temperatura Máxima de Operación

+85 °C.

Estándar de automoción

AEC-Q100

Número de Palabras

128K

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

Datos del producto

F-RAM de Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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$ 18.935

Each (Sin IVA)

$ 22.533

Each (IVA Incluido)

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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

18ns

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Conteo de Pines

8

Dimensiones del Cuerpo

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Longitud

4.97mm

Ancho

3.98mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Altura

1.47mm

Temperatura Máxima de Operación

+85 °C.

Estándar de automoción

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Número de Palabras

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Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2 V

Número de Bits de Palabra

8bit

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F-RAM de Cypress Semiconductor

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Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

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