Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
OptiMOSTM3
Tipo de Encapsulado
PQFN 3 x 3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,018 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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P.O.A.
5000
P.O.A.
5000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
OptiMOSTM3
Tipo de Encapsulado
PQFN 3 x 3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,018 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon