Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Altura
1.6mm
Serie
SIPMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 523
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 622,37
Each (On a Reel of 1000) (IVA Incluido)
1000
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1000
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InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,8 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Profundidad
3.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Altura
1.6mm
Serie
SIPMOS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.