MOSFET Infineon BSC057N08NS3 G, VDSS 80 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

114 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

42 nC @ 10 V

Altura

1.1mm

Serie

OptiMOS 3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

Singapore