MOSFET Infineon BSC046N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
156 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS 3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
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Single
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Ancho
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Número de Elementos por Chip
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Material del transistor
Si
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Serie
OptiMOS 3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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