MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-1985Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC035N10NS5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Serie

BSC035N10NS5

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.1mm

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$ 4.167

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 4.958,73

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 41.670
20$ 83.340
30$ 125.010
40$ 166.680
50$ 208.350
60$ 250.020
70$ 291.690
80$ 333.360
90$ 375.030
100$ 355.500
110$ 391.050
120$ 426.600
130$ 462.150
140$ 497.700
150$ 533.250

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10

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10$ 41.670
20$ 83.340
30$ 125.010
40$ 166.680
50$ 208.350
60$ 250.020
70$ 291.690
80$ 333.360
90$ 375.030
100$ 355.500
110$ 391.050
120$ 426.600
130$ 462.150
140$ 497.700
150$ 533.250

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 4.167$ 41.670
100 - 490$ 3.555$ 35.550
500 - 990$ 3.154$ 31.540
1000 - 2490$ 2.783$ 27.830
2500+$ 2.713$ 27.130

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N

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TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

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