MOSFET Infineon BSC026N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 170-2315Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC026N08NS5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Serie

BSC026N08NS5

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

74 nC a 10 V

Altura

1.1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.1V

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P.O.A.

MOSFET Infineon BSC026N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, config. Simple

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Profundidad

6.35mm

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.49mm

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