Par Darlington, BCV28H6327XTSA1, PNP 500 mA, 30 V, HFE:4000, SOT-89, 3 pines Simple

Name: Par Darlington, BCV28H6327XTSA1, PNP 500 mA, 30 V, HFE:4000, SOT-89, 3 pines Simple
Brand: Infineon
SKU: 7528063

Código de producto RS: 752-8063Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BCV28H6327XTSA1

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Transistor

PNP

Corriente Máxima Continua del Colector

500 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

30 V

Tensión Máxima Emisor-Base

10 V

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

Ganancia Mínima de Corriente DC

4000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

40 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

10µA

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.5mm

Altura

1.5mm

Profundidad

2.5mm

Dimensiones del Cuerpo

4.5 x 2.5 x 1.5mm

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P.O.A.

Par Darlington, BCV28H6327XTSA1, PNP 500 mA, 30 V, HFE:4000, SOT-89, 3 pines Simple

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Brand

Infineon

Tipo de Transistor

PNP

Corriente Máxima Continua del Colector

500 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

30 V

Tensión Máxima Emisor-Base

10 V

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

Ganancia Mínima de Corriente DC

4000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

40 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

10µA

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.5mm

Altura

1.5mm

Profundidad

2.5mm

Dimensiones del Cuerpo

4.5 x 2.5 x 1.5mm