Documentos Técnicos
Especificaciones
Estándar de automoción
AEC-Q101
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.3V
Tipo de montaje
Through Hole
Serie
AUIRF
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Tipo de Encapsulado
TO-262
Altura
4.83mm
Longitud:
10.67mm
Profundidad
9.65mm
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
12.1 mΩ
Carga Típica de Puerta @ Vgs
77 nC a 10 V
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Estándar
5
P.O.A.
Estándar
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Estándar de automoción
AEC-Q101
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1.3V
Tipo de montaje
Through Hole
Serie
AUIRF
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Tipo de Encapsulado
TO-262
Altura
4.83mm
Longitud:
10.67mm
Profundidad
9.65mm
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
12.1 mΩ
Carga Típica de Puerta @ Vgs
77 nC a 10 V