MOSFET Infineon AUIRF7316QTR, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 1.058
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 1.259,02
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4000
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N
Maximum Continuous Drain Current
4.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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