Módulo IGBT, 2MBI900VXA-120P-50, N-Canal, 900 A, 1.200 V, M271, 4-Pines

Código de producto RS: 761-3420Marca: FujiNúmero de parte de fabricante: 2MBI900VXA-120P-50
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Fuji

Corriente Máxima Continua del Colector

900 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

5,1 kW

Tipo de Encapsulado

M271

Configuration

Series

Tipo de Montaje

Screw Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Dimensiones del Cuerpo

172 x 89 x 38mm

Datos del producto

Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric

Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Módulo IGBT, 2MBI900VXA-120P-50, N-Canal, 900 A, 1.200 V, M271, 4-Pines

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Corriente Máxima Continua del Colector

900 A

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

5,1 kW

Tipo de Encapsulado

M271

Configuration

Series

Tipo de Montaje

Screw Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Dimensiones del Cuerpo

172 x 89 x 38mm

Datos del producto

Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric

Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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