Módulo IGBT, 6MBI75U4B-120-50, N-Canal, 75 A, 1200 V, M633, 35-Pines Trifásico
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Fuji ElectricCorriente Máxima Continua del Colector
75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
390000 mW
Tipo de Encapsulado
M633
Configuration
3 Phase Bridge
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
35
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiones del Cuerpo
122 x 62 x 17mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Módulos IGBT de 6 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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±20V
Disipación de Potencia Máxima
390000 mW
Tipo de Encapsulado
M633
Configuration
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Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
35
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiones del Cuerpo
122 x 62 x 17mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Módulos IGBT de 6 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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