Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Fuji ElectricCorriente Máxima Continua del Colector
600 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
3 kW
Tipo de Encapsulado
M153
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
4
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
108 x 62 x 36mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Módulos IGBT de 1 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
10
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Brand
Fuji ElectricCorriente Máxima Continua del Colector
600 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
3 kW
Tipo de Encapsulado
M153
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
4
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
108 x 62 x 36mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Módulos IGBT de 1 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.