N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Fairchild BS170_D26Z

Código de producto RS: 761-3596Marca: Fairchild SemiconductorNúmero de parte de fabricante: BS170_D26Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-92

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

0,83 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

5.2mm

Ancho

4.19mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Altura

5.33mm

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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N

Maximum Continuous Drain Current

500 mA

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-60 V

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TO-92

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

0,83 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

5.2mm

Ancho

4.19mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Altura

5.33mm

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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