Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
DMP
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,97 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17.2 @ 10 V nC
Ancho
2.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
0.58mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
DMP
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1,97 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17.2 @ 10 V nC
Ancho
2.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
0.58mm
Datos del producto