Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
DMP
Tipo de Encapsulado
POWERDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Profundidad
3.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.35mm
Altura
0.78mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal P, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
DMP
Tipo de Encapsulado
POWERDI3333
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.8 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64,2 nC a 10 V
Profundidad
3.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.35mm
Altura
0.78mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto